乙硅烷是一种用于先进制程中低温薄膜沉积的优质前驱体。
主要用于非晶硅 (a-Si) 和 二氧化硅的低温沉积。因其分解温度低于硅烷，能应用于有严格热预算限制的集成电路，如 NAND 闪存。
关键工艺: 低温沉积 / 严格热预算 / NAND Flash可与锗在沉积设备中反应，生成硅锗 (SiGe) 层。该层可对硅晶格产生应变，从而提高单纳米级集成电路中晶体管的性能。
关键应用: SiGe 应变层 / 性能提升 / 纳米 IC乙硅烷沉积温度更低，适用于热敏感基板上的加工。这使得其能够通过原子层沉积 (ALD) 技术形成超薄硅膜。
关键应用: 热敏感基板 / ALD / 超薄硅膜不含卤化物和碳杂质，这使其在硅化物形成、电子硅沉积以及其他专业硅基薄膜应用中成为优选前驱体。
关键应用: 硅化物形成 / 无杂质 / 专业薄膜